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【2h】

Evaluation and Reliability Assessment of GaN-on-Si MIS-HEMT for Power Switching Applications

机译：用于功率开关应用的GaN-on-si mIs-HEmT的评估和可靠性评估

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Po-Chien Chou; Szu-Hao Chen; Ting-En Hsieh; Stone Cheng; Jesús A. del Alamo; Edward Yi Chang;
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年度 2017
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1. Evaluation and Reliability Assessment of GaN-on-Si MIS-HEMT for Power Switching Applications [J] . Po-Chien Chou, Szu-Hao Chen, Ting-En Hsieh, Energies . 2017,第2期

机译：功率开关应用中的GaN-on-Si MIS-HEMT的评估和可靠性评估
2. Comprehensive dynamic on-resistance assessments in GaN-on-Si MIS-HEMTs for power switching applications [J] . Chou Po-Chien, Hsieh Ting-En, Cheng Stone, Semiconductor science and technology . 2018,第5期

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3. Trapping and Reliability Assessment in D-Mode GaN-Based MIS-HEMTs for Power Applications [J] . Meneghini M., Bisi D., Marcon D., IEEE Transactions on Power Electronics . 2014,第5期

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4. Reliability and failure physics of GaN HEMT, MIS-HEMT and p-gate HEMTs for power switching applications-Parasitic effects and degradation due to deep level effects and time-dependent breakdown phenomena [C] . Enrico Zanoni, Matteo Meneghini, Gaudenzio Meneghesso, IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications . 2015

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